casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - fotoelettrici, industriali / E3JM-R4M4T-G
codice articolo del costruttore | E3JM-R4M4T-G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-E3JM-R4M4T-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3JM |
E3JM-R4M4T-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Metodo di sensing | Retroreflective |
Distanza di rilevamento | 157.480" (4m) |
Tensione - Fornitura | 12V ~ 240V, 24V ~ 240V |
Tempo di risposta | 30ms |
Configurazione di uscita | Relay - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
Metodo di connessione | Terminal Block |
Protezione dall'ingresso | IEC IP66 |
Lunghezza del cavo | - |
Fonte di luce | Red (660nm) |
Tipo di regolazione | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 55°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3JM-R4M4T-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | E3JM-R4M4T-G-FT |
PD112CNB25BPM1
Carlo Gavazzi Inc.
PD112CNB25BP
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRD08NASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRD08PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRP40PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRR50NASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRR50PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRT16
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CRT16PASA
Carlo Gavazzi Inc.
PA18CLR30TO
Carlo Gavazzi Inc.
AT6010A-4AI
Microchip Technology
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
AGL030V2-QNG48I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C50F672C8N
Intel
EP3C25F256C7
Intel
EP1AGX90EF1152I6N
Intel
LFE2-6E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation