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codice articolo del costruttore | E3JM-10M4-G-N |
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Numero di parte futuro | FT-E3JM-10M4-G-N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3JM |
E3JM-10M4-G-N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Metodo di sensing | Through-Beam |
Distanza di rilevamento | 393.7" (10m) 32.8' |
Tensione - Fornitura | 12V ~ 240V, 24V ~ 240V |
Tempo di risposta | 30ms |
Configurazione di uscita | Light-On/Dark-On |
Metodo di connessione | Terminal Block |
Protezione dall'ingresso | IEC IP66 |
Lunghezza del cavo | - |
Fonte di luce | Infrared (950nm) |
Tipo di regolazione | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 55°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3JM-10M4-G-N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | E3JM-10M4-G-N-FT |
ZT2-F5238
SICK, Inc.
ZT2-N2215
SICK, Inc.
ZT2-N2221
SICK, Inc.
ZT2-N2228
SICK, Inc.
ZT2-N2231
SICK, Inc.
ZT2-N2238
SICK, Inc.
ZT2-N3221
SICK, Inc.
ZT2-N3228
SICK, Inc.
ZT2-N3231
SICK, Inc.
ZT2-N3238
SICK, Inc.
XC4003E-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256I
Xilinx Inc.
XC4028XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
A54SX08-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
5SGXMA7N3F45I4N
Intel