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codice articolo del costruttore | E3C-S10D 2M |
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Numero di parte futuro | FT-E3C-S10D 2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E3C |
E3C-S10D 2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Metodo di sensing | Through-Beam |
Distanza di rilevamento | 3.937" (100mm) |
Tensione - Fornitura | - |
Tempo di risposta | - |
Configurazione di uscita | - |
Metodo di connessione | Cable |
Protezione dall'ingresso | IEC IP64 |
Lunghezza del cavo | - |
Fonte di luce | Infrared (950nm) |
Tipo di regolazione | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 70°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3C-S10D 2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | E3C-S10D 2M-FT |
ZT2-F3231
SICK, Inc.
ZT2-F3238
SICK, Inc.
ZT2-F4215
SICK, Inc.
ZT2-F4221
SICK, Inc.
ZT2-F4228
SICK, Inc.
ZT2-F4231
SICK, Inc.
ZT2-F4238
SICK, Inc.
ZT2-F5215
SICK, Inc.
ZT2-F5221
SICK, Inc.
ZT2-F5228
SICK, Inc.
XC2VP2-6FGG256C
Xilinx Inc.
XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C5E144A7N
Intel
5SGXEA7N2F45I2
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQ160I
Microsemi Corporation
EP20K100QC208-2X
Intel
5SGSMD4H2F35C1N
Intel