casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori di prossimità / E2EZ-X4D1-M1TGJ 0.3M
codice articolo del costruttore | E2EZ-X4D1-M1TGJ 0.3M |
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Numero di parte futuro | FT-E2EZ-X4D1-M1TGJ 0.3M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E2E |
E2EZ-X4D1-M1TGJ 0.3M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di sensore | Inductive |
Distanza di rilevamento | 0.157" (4mm) |
Tipo di uscita | NPN-NO, 2-Wire |
Frequenza di risposta | 100Hz |
Schermatura | Shielded |
Materiale - Corpo | Nickel-Plated Brass |
Tensione - Fornitura | 10V ~ 30V |
Stile di terminazione | Cable with Connector |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 50°C |
Protezione dall'ingresso | IP67 |
Indicatore | LED |
Pacchetto / caso | Cylinder, Threaded - M18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E2EZ-X4D1-M1TGJ 0.3M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | E2EZ-X4D1-M1TGJ 0.3M-FT |
E2E-X8MD2 5M
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XA3S100E-4VQG100I
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A42MX36-1PQG240I
Microsemi Corporation
M2GL090-1FG484
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H1F35C2L
Intel
XC7VX330T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation