casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DZ800S17K3HOSA1
codice articolo del costruttore | DZ800S17K3HOSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DZ800S17K3HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DZ800S17K3HOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | - |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 780A @ 900V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | AG-62MM-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ800S17K3HOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DZ800S17K3HOSA1-FT |
CPT500100A
Microsemi Corporation
CPT500100D
Microsemi Corporation
CPT50060A
Microsemi Corporation
CPT50060D
Microsemi Corporation
CPT50145A
Microsemi Corporation
CPT50145D
Microsemi Corporation
CPT50235
Microsemi Corporation
CPT50235A
Microsemi Corporation
CPT50235D
Microsemi Corporation
CPT600100A
Microsemi Corporation
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel