casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DXT5551-13
codice articolo del costruttore | DXT5551-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DXT5551-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DXT5551-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DXT5551-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DXT5551-13-FT |
FJAF6920ATU
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AFS1500-2FG256
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M7A3P1000-1FGG256
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A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
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EP4SGX290NF45C4
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EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.