casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DXT3150-13
codice articolo del costruttore | DXT3150-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DXT3150-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DXT3150-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 220MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DXT3150-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DXT3150-13-FT |
FCX658ATA
Diodes Incorporated
2DB1714-13
Diodes Incorporated
2DD1664P-13
Diodes Incorporated
FCX491TA
Diodes Incorporated
FCX1147ATA
Diodes Incorporated
ZXTN19020DZTA
Diodes Incorporated
BST52TA
Diodes Incorporated
FCX555TA
Diodes Incorporated
ZXTP19100CZTA
Diodes Incorporated
BST39TA
Diodes Incorporated
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68A
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
EP4CE22E22C9LN
Intel
5SGXMA7H3F35I3LN
Intel
LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5
Intel
EP20K400EBC652-3AA
Intel