casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DXT2012P5-13
codice articolo del costruttore | DXT2012P5-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DXT2012P5-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DXT2012P5-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
Potenza - Max | 3.2W |
Frequenza - Transizione | 120MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerDI™ 5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI™ 5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DXT2012P5-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DXT2012P5-13-FT |
ZUMT618TA
Diodes Incorporated
MMST5551-7-F
Diodes Incorporated
AC847BWQ-7
Diodes Incorporated
MMST2907AQ-7
Diodes Incorporated
MMST3906-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA05-7-F
Diodes Incorporated
BC846BW-7-F
Diodes Incorporated
2DB1694-7
Diodes Incorporated
MMSTA42-7-F
Diodes Incorporated
BC807-40W-7
Diodes Incorporated
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation