casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DXT2012P5-13
codice articolo del costruttore | DXT2012P5-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DXT2012P5-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DXT2012P5-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
Potenza - Max | 3.2W |
Frequenza - Transizione | 120MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerDI™ 5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI™ 5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DXT2012P5-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DXT2012P5-13-FT |
ZUMT618TA
Diodes Incorporated
MMST5551-7-F
Diodes Incorporated
AC847BWQ-7
Diodes Incorporated
MMST2907AQ-7
Diodes Incorporated
MMST3906-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA05-7-F
Diodes Incorporated
BC846BW-7-F
Diodes Incorporated
2DB1694-7
Diodes Incorporated
MMSTA42-7-F
Diodes Incorporated
BC807-40W-7
Diodes Incorporated
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel