casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DUR6060W
codice articolo del costruttore | DUR6060W |
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Numero di parte futuro | FT-DUR6060W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DUR |
DUR6060W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DUR6060W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DUR6060W-FT |
R4000F-AP
Micro Commercial Co
R4000F-TP
Micro Commercial Co
R5000-AP
Micro Commercial Co
R5000-TP
Micro Commercial Co
R5000F-AP
Micro Commercial Co
R5000F-TP
Micro Commercial Co
RL201-AP
Micro Commercial Co
RL201-TP
Micro Commercial Co
RL202-AP
Micro Commercial Co
RL202-TP
Micro Commercial Co
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel