casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DUR2030CT
codice articolo del costruttore | DUR2030CT |
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Numero di parte futuro | FT-DUR2030CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DUR |
DUR2030CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 300V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DUR2030CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DUR2030CT-FT |
CPT500100
Microsemi Corporation
CPT40145
Microsemi Corporation
CPT40090
Microsemi Corporation
CPT400100D
Microsemi Corporation
CPT400100A
Microsemi Corporation
CPT400100
Microsemi Corporation
CPT30090
Microsemi Corporation
CPT30060
Microsemi Corporation
CPT30050
Microsemi Corporation
CPT30045
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel