casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DUR2030CT
codice articolo del costruttore | DUR2030CT |
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Numero di parte futuro | FT-DUR2030CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DUR |
DUR2030CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 300V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DUR2030CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DUR2030CT-FT |
CPT500100
Microsemi Corporation
CPT40145
Microsemi Corporation
CPT40090
Microsemi Corporation
CPT400100D
Microsemi Corporation
CPT400100A
Microsemi Corporation
CPT400100
Microsemi Corporation
CPT30090
Microsemi Corporation
CPT30060
Microsemi Corporation
CPT30050
Microsemi Corporation
CPT30045
Microsemi Corporation
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel