casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC123YUAT106
codice articolo del costruttore | DTC123YUAT106 |
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Numero di parte futuro | FT-DTC123YUAT106 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC123YUAT106 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123YUAT106 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC123YUAT106-FT |
DTC143ZETL
Rohm Semiconductor
DTD513ZETL
Rohm Semiconductor
DTD523YETL
Rohm Semiconductor
DTD543EETL
Rohm Semiconductor
DTD543XETL
Rohm Semiconductor
DTD543ZETL
Rohm Semiconductor
DTA114EEBTL
Rohm Semiconductor
DTA114TEBTL
Rohm Semiconductor
DTA114WETL
Rohm Semiconductor
DTA115EEBTL
Rohm Semiconductor
XCV300E-7FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
5SGSMD4E1H29C1N
Intel
10CL006YE144I7G
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
A1020B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation