casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC123TM3T5G
codice articolo del costruttore | DTC123TM3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-DTC123TM3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC123TM3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 260mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123TM3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC123TM3T5G-FT |
PDTA143ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA143ZT,235
Nexperia USA Inc.
PDTA144ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTA144TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144VT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144WT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB113ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTB123ET,215
Nexperia USA Inc.
EP20K160ETC144-3N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68I
Microsemi Corporation
EP4SGX180KF40I3N
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H1F35C2N
Intel