casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC114YU3T106
codice articolo del costruttore | DTC114YU3T106 |
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Numero di parte futuro | FT-DTC114YU3T106 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC114YU3T106 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC114YU3T106 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC114YU3T106-FT |
DTA043ZEBTL
Rohm Semiconductor
DTA044EEBTL
Rohm Semiconductor
DTA114YEBTL
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DTA143EEBTL
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DTA143ZEBHZGTL
Rohm Semiconductor
DTA143ZEBTL
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DTA144EEBHZGTL
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DTC014EEBTL
Rohm Semiconductor
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC2VP50-6FF1152I
Xilinx Inc.
AGL250V2-CS196
Microsemi Corporation
EP20K400ERI240-3
Intel
EP20K160EQC208-2N
Intel