casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC114TEBTL
codice articolo del costruttore | DTC114TEBTL |
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Numero di parte futuro | FT-DTC114TEBTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC114TEBTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT3F (SOT-416FL) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC114TEBTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC114TEBTL-FT |
DTA114YETL
Rohm Semiconductor
DTA123JETL
Rohm Semiconductor
DTA124EETL
Rohm Semiconductor
DTA124XEFRATL
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DTA124XETL
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DTA143EETL
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DTA143ZETL
Rohm Semiconductor
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
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XC6SLX25-3FTG256C
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M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
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5SGSMD5H2F35I3N
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XC4VLX160-10FFG1148I
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EPF10K30AQI208-3
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EPF8820AQC208-3
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