casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC113EM3T5G
codice articolo del costruttore | DTC113EM3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-DTC113EM3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC113EM3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 260mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC113EM3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC113EM3T5G-FT |
PDTA144TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144VT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144WT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB113ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTB123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB143ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTB143XTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC114ET,215
Nexperia USA Inc.
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484LI
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
EPF10K200SFI672-2
Intel
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C8LN
Intel