casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTB123YUT106
codice articolo del costruttore | DTB123YUT106 |
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Numero di parte futuro | FT-DTB123YUT106 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTB123YUT106 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB123YUT106 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTB123YUT106-FT |
DTA023EEBTL
Rohm Semiconductor
DTA023JEBTL
Rohm Semiconductor
DTA023YEBTL
Rohm Semiconductor
DTA024EEBTL
Rohm Semiconductor
DTA043EEBTL
Rohm Semiconductor
DTA043TEBTL
Rohm Semiconductor
DTA043ZEBTL
Rohm Semiconductor
DTA044EEBTL
Rohm Semiconductor
DTA114YEBTL
Rohm Semiconductor
DTA123JEBTL
Rohm Semiconductor
LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
Intel