casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTB114GCT116
codice articolo del costruttore | DTB114GCT116 |
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Numero di parte futuro | FT-DTB114GCT116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTB114GCT116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB114GCT116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTB114GCT116-FT |
DTD743XMT2L
Rohm Semiconductor
DTD743ZMT2L
Rohm Semiconductor
DTA123JKAT246
Rohm Semiconductor
DTA114EEFRATL
Rohm Semiconductor
DTA113ZSATP
Rohm Semiconductor
DTA114ESATP
Rohm Semiconductor
DTA114WSATP
Rohm Semiconductor
DTA124ESATP
Rohm Semiconductor
DTA143ESATP
Rohm Semiconductor
DTA143TSATP
Rohm Semiconductor
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP3CLS100F484I7N
Intel
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
EP3C5E144I7
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation