casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA123YCAT116
codice articolo del costruttore | DTA123YCAT116 |
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Numero di parte futuro | FT-DTA123YCAT116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
DTA123YCAT116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 22 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123YCAT116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA123YCAT116-FT |
DTC144TSATP
Rohm Semiconductor
DTD114ESTP
Rohm Semiconductor
DTD123TSTP
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DTDG23YPT100
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DTA143EUBHZGTL
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DTC043ZUBTL
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DTA014EUBTL
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DTA015TUBTL
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DTA124EUBHZGTL
Rohm Semiconductor
XC7A35T-2CSG325I
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10CX150YF672E6G
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
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5SGXMA3K3F35I3N
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5SGXMA4K3F35I3
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XC2V4000-5FF1152I
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LFE3-17EA-8LMG328I
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LFE2-20E-5F484C
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LCMXO2-4000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
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