casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA123JE-TP
codice articolo del costruttore | DTA123JE-TP |
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Numero di parte futuro | FT-DTA123JE-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA123JE-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123JE-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA123JE-TP-FT |
PDTA144WE,115
NXP USA Inc.
PDTC114EE,115
NXP USA Inc.
PDTC114TE,115
NXP USA Inc.
PDTC114YE,115
NXP USA Inc.
PDTC114YE,135
NXP USA Inc.
PDTC115EE,115
NXP USA Inc.
PDTC115TE,115
NXP USA Inc.
PDTC123EE,115
NXP USA Inc.
PDTC123JE,115
NXP USA Inc.
PDTC123TE,115
NXP USA Inc.