casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA115EKAT146
codice articolo del costruttore | DTA115EKAT146 |
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Numero di parte futuro | FT-DTA115EKAT146 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA115EKAT146 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA115EKAT146 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA115EKAT146-FT |
DTC114WUAT106
Rohm Semiconductor
DTC115GU3T106
Rohm Semiconductor
DTC123EUAT106
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DTC123JU3T106
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DTA113ZU3HZGT106
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DTA113ZU3T106
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LCMXO640C-4TN144C
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XC3S500E-5CPG132C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
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5SGXMA3E1H29C1N
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EP2AGZ300FH29I3N
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M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
AGL060V2-CSG121
Microsemi Corporation