casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA113EM3T5G
codice articolo del costruttore | DTA113EM3T5G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DTA113EM3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA113EM3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 260mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA113EM3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA113EM3T5G-FT |
PDTA144ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTA144TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144VT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144WT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB113ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTB123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB143ETVL
Nexperia USA Inc.
M2GL050T-1FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQI
Microchip Technology
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XA6SLX9-3CSG225Q
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C4N
Intel