casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DST860S-A
codice articolo del costruttore | DST860S-A |
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Numero di parte futuro | FT-DST860S-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DST860S-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 610mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 600µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 502pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277B |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DST860S-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DST860S-A-FT |
BAS21GWJ
Nexperia USA Inc.
BAS21GWX
Nexperia USA Inc.
BAT46GWX
Nexperia USA Inc.
BAT54GWX
Nexperia USA Inc.
PMEG2005EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG3010EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG3010EGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG3020EGWJ
Nexperia USA Inc.
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel