casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DST5100S
codice articolo del costruttore | DST5100S |
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Numero di parte futuro | FT-DST5100S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DST5100S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 120µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 245pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277B |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DST5100S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DST5100S-FT |
PMEG3020EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG4005EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CEGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG4010EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG4010EGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CEGWJ
Nexperia USA Inc.
GF1G-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1M-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1J-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel