casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DST1045S-A
codice articolo del costruttore | DST1045S-A |
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Numero di parte futuro | FT-DST1045S-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DST1045S-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 656pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277B |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DST1045S-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DST1045S-A-FT |
BAT54GWX
Nexperia USA Inc.
PMEG2005EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG3010EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG3010EGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG3020EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG4005EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CEGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG4010EGWJ
Nexperia USA Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel