casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DSSK28-01AS
codice articolo del costruttore | DSSK28-01AS |
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Numero di parte futuro | FT-DSSK28-01AS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSSK28-01AS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSSK28-01AS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSSK28-01AS-FT |
CDSH3-222N-G
Comchip Technology
CDSH3-222P-G
Comchip Technology
CDSH3-4448C-G
Comchip Technology
CDSH3-70-G
Comchip Technology
CDSH3-99-G
Comchip Technology
MBR20100CT-BP
Micro Commercial Co
MBRL20100CT-BP
Micro Commercial Co
MBR20200CT-BP
Micro Commercial Co
MBR10100CT-BP
Micro Commercial Co
MBR3045CT-BP
Micro Commercial Co
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel