casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DSS3515M-7B
codice articolo del costruttore | DSS3515M-7B |
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Numero di parte futuro | FT-DSS3515M-7B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSS3515M-7B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 340MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-UFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS3515M-7B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSS3515M-7B-FT |
BC847BW-7-F
Diodes Incorporated
BC847CW-7-F
Diodes Incorporated
BC848AW-7-F
Diodes Incorporated
BC848CW-7-F
Diodes Incorporated
BC856AW-7-F
Diodes Incorporated
BC857BW-7-F
Diodes Incorporated
BC857CW-7-F
Diodes Incorporated
MMST4401-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA13-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA55-7-F
Diodes Incorporated
LFXP2-5E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel
EP20K160EQC240-3N
Intel
EPF10K30EQC208-2N
Intel