casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSR8V600
codice articolo del costruttore | DSR8V600 |
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Numero di parte futuro | FT-DSR8V600 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DIODESTAR™ |
DSR8V600 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.2V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 23ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSR8V600 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSR8V600-FT |
B560C-13-F
Diodes Incorporated
ES3A-13-F
Diodes Incorporated
S5GC-13-F
Diodes Incorporated
S5AC-13-F
Diodes Incorporated
S8KC-13
Diodes Incorporated
B3100-13-F
Diodes Incorporated
B360-13-F
Diodes Incorporated
S3G-13-F
Diodes Incorporated
S5JC-13-F
Diodes Incorporated
B530C-13-F
Diodes Incorporated
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel