casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSR8A600
codice articolo del costruttore | DSR8A600 |
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Numero di parte futuro | FT-DSR8A600 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSR8A600 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.2V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 7.7pF @ 100V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSR8A600 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSR8A600-FT |
B340-13-F
Diodes Incorporated
S3J-13-F
Diodes Incorporated
B560C-13-F
Diodes Incorporated
ES3A-13-F
Diodes Incorporated
S5GC-13-F
Diodes Incorporated
S5AC-13-F
Diodes Incorporated
S8KC-13
Diodes Incorporated
B3100-13-F
Diodes Incorporated
B360-13-F
Diodes Incorporated
S3G-13-F
Diodes Incorporated
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation