casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / DSM8100-000
codice articolo del costruttore | DSM8100-000 |
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Numero di parte futuro | FT-DSM8100-000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSM8100-000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 60V |
Corrente - max | - |
Capacità @ Vr, F | 0.025pF @ 10V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 3.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TA) |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSM8100-000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSM8100-000-FT |
HSMS-280B-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280C-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280C-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280C-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280E-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280E-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280E-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280F-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280F-TR2G
Broadcom Limited
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
5SGXEA5H2F35C2L
Intel
10AX090H1F34E1SG
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel
EP1C12F324C7N
Intel
5SGSMD4H2F35C2L
Intel