casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DSM80101M-7
codice articolo del costruttore | DSM80101M-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DSM80101M-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSM80101M-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN + Diode (Isolated) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 600mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-26 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSM80101M-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSM80101M-7-FT |
BCX5316-13R
Diodes Incorporated
BCX5416TA
Diodes Incorporated
FCX591ATA
Diodes Incorporated
FCX605TA
Diodes Incorporated
2DB1132R-13
Diodes Incorporated
2DD1621T-13
Diodes Incorporated
2DD1664Q-13
Diodes Incorporated
2DD1664R-13
Diodes Incorporated
2DD2661-13
Diodes Incorporated
DCX68-25-13
Diodes Incorporated
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel