codice articolo del costruttore | DSK10E |
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Numero di parte futuro | FT-DSK10E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSK10E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | R-1 (Axial) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSK10E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSK10E-FT |
NTS260SFT3G
ON Semiconductor
MBR120LSFT1G
ON Semiconductor
NRVB120LSFT1G
ON Semiconductor
NRVB230LSFT1G
ON Semiconductor
NTS245SFT1G
ON Semiconductor
NRVB140ESFT1G
ON Semiconductor
MBR120ESFT3G
ON Semiconductor
NRVHP120SFT3G
ON Semiconductor
NRVTS245ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB130LSFT1G
ON Semiconductor
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel