casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSI30-12AC
codice articolo del costruttore | DSI30-12AC |
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Numero di parte futuro | FT-DSI30-12AC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSI30-12AC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 45A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | ISOPLUS220™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS220™ |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSI30-12AC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSI30-12AC-FT |
D1481N65TXPSA1
Infineon Technologies
D170S25BS1XPSA1
Infineon Technologies
D1800N36TVFXPSA1
Infineon Technologies
D1800N42TVFXPSA1
Infineon Technologies
D1821SH45TS05XOSA1
Infineon Technologies
D2015L53
Littelfuse Inc.
D2020L55
Littelfuse Inc.
D2200N24TVFPRXPSA1
Infineon Technologies
D251K12BXPSA1
Infineon Technologies
D251K14BXPSA1
Infineon Technologies
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel