casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSF10TB-AT1
codice articolo del costruttore | DSF10TB-AT1 |
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Numero di parte futuro | FT-DSF10TB-AT1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSF10TB-AT1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSF10TB-AT1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSF10TB-AT1-FT |
MBRS230LT3
ON Semiconductor
MBRS260T3
ON Semiconductor
MRS1504T3
ON Semiconductor
MURS105T3
ON Semiconductor
MURS205T3
ON Semiconductor
MURS210T3
ON Semiconductor
MURS240T3
ON Semiconductor
MURS260T3
ON Semiconductor
SS22T3
ON Semiconductor
1N4001G
ON Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel