casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSEI30-12A
codice articolo del costruttore | DSEI30-12A |
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Numero di parte futuro | FT-DSEI30-12A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSEI30-12A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 26A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.55V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 750µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEI30-12A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSEI30-12A-FT |
UF5405-AP
Micro Commercial Co
UF5405-TP
Micro Commercial Co
UF5406-AP
Micro Commercial Co
UF5406-TP
Micro Commercial Co
UF5407-AP
Micro Commercial Co
UF5408-AP
Micro Commercial Co
UF5408-TP
Micro Commercial Co
1N4937-TP
Micro Commercial Co
6A10-TP
Micro Commercial Co
6A4-TP
Micro Commercial Co
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel