casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DSEI2X121-02P
codice articolo del costruttore | DSEI2X121-02P |
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Numero di parte futuro | FT-DSEI2X121-02P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSEI2X121-02P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 123A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ECO-PAC2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ECO-PAC2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEI2X121-02P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSEI2X121-02P-FT |
CPT30045D
Microsemi Corporation
CPT30050A
Microsemi Corporation
CPT30050D
Microsemi Corporation
CPT30060A
Microsemi Corporation
CPT30060D
Microsemi Corporation
CPT30090A
Microsemi Corporation
CPT30090D
Microsemi Corporation
CPT30145A
Microsemi Corporation
CPT30145D
Microsemi Corporation
CPT40080
Microsemi Corporation
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel