casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / DSC9G02C0L
codice articolo del costruttore | DSC9G02C0L |
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Numero di parte futuro | FT-DSC9G02C0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSC9G02C0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Frequenza - Transizione | 650MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 3.3dB @ 100MHz |
Guadagno | 24dB |
Potenza - Max | 125mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 65 @ 1mA, 6V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSC9G02C0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSC9G02C0L-FT |
NE68030-T1-R45-A
CEL
NE68130-A
CEL
NE68130-T1
CEL
NE68130-T1-A
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NE68530-A
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NE68530-T1
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NE68530-T1-A
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NE68830-A
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NE68830-T1-A
CEL
NE85630-A
CEL
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC2VP40-7FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C7
Intel
5SGXEA7K3F40I4N
Intel
5SGXEA4H1F35C1N
Intel
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2SG
Intel
EP2SGX130GF1508C4
Intel