casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS28E80Q+U
codice articolo del costruttore | DS28E80Q+U |
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Numero di parte futuro | FT-DS28E80Q+U |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E80Q+U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (2K x 1) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 2µs |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 2.97V ~ 3.63V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TDFN-EP (3x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E80Q+U Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS28E80Q+U-FT |
AT93C66AW-10SI-2.7
Microchip Technology
AT93C66AW-10SU-1.8
Microchip Technology
AT93C66AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AT93C66W-10SC
Microchip Technology
AT93C66W-10SC-2.5
Microchip Technology
AT93C66W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT93C66W-10SI
Microchip Technology
AT93C66W-10SI-1.8
Microchip Technology
AT93C66W-10SI-2.5
Microchip Technology
AT93C66W-10SI-2.7
Microchip Technology
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel