casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS28E25G+U
codice articolo del costruttore | DS28E25G+U |
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Numero di parte futuro | FT-DS28E25G+U |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E25G+U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (4K x 1) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 2µs |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 2.97V ~ 3.63V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-SFN (6x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E25G+U Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS28E25G+U-FT |
DS2431X-S+
Maxim Integrated
DS2431X+
Maxim Integrated
DS2431X+U
Maxim Integrated
DS2431X-S+TW
Maxim Integrated
DS28E36Q+U
Maxim Integrated
DS28EL25Q+T
Maxim Integrated
DS28EL15Q+T
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R
Maxim Integrated
DS2704G+T&R
Maxim Integrated
DS28E25Q+T
Maxim Integrated
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel