casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS28E15P+T
codice articolo del costruttore | DS28E15P+T |
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Numero di parte futuro | FT-DS28E15P+T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepCover® |
DS28E15P+T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 512b (512 x 1) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 2.97V ~ 3.63V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E15P+T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS28E15P+T-FT |
MT45W2MW16PGA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W2MW16PGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PBA-70 IT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PBA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PBA-70 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PBA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PCGA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PCGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 IT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel