casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS28E01G-100+T&R
codice articolo del costruttore | DS28E01G-100+T&R |
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Numero di parte futuro | FT-DS28E01G-100+T&R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E01G-100+T&R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Kb (256 x 4) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 2µs |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 2.85V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-SFN (6x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E01G-100+T&R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS28E01G-100+T&R-FT |
DS2502S+T&R
Maxim Integrated
DS2431X-S+
Maxim Integrated
DS2431X+
Maxim Integrated
DS2431X+U
Maxim Integrated
DS2431X-S+TW
Maxim Integrated
DS28E36Q+U
Maxim Integrated
DS28EL25Q+T
Maxim Integrated
DS28EL15Q+T
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R
Maxim Integrated
DS2704G+T&R
Maxim Integrated
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel