casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS24B33S+T&R
codice articolo del costruttore | DS24B33S+T&R |
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Numero di parte futuro | FT-DS24B33S+T&R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS24B33S+T&R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (256 x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 2µs |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 2.8V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS24B33S+T&R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS24B33S+T&R-FT |
W25Q80JVSSIQ
Winbond Electronics
W25Q64FWSSIG
Winbond Electronics
W25Q128JVSIQ
Winbond Electronics
W25Q64JVSSIM TR
Winbond Electronics
W25Q16FWSSIQ
Winbond Electronics
W25Q80DVSSIG
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIG
Winbond Electronics
W25Q128FWSIG
Winbond Electronics
W25Q64JVSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q80EWSSIG
Winbond Electronics
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel