casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DS17-12A
codice articolo del costruttore | DS17-12A |
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Numero di parte futuro | FT-DS17-12A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS17-12A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.36V @ 55A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4mA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 180°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS17-12A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS17-12A-FT |
BYG21MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel