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codice articolo del costruttore | DS1501YZN+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1501YZN+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1501YZN+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Clock/Calendar |
Caratteristiche | Alarm, Leap Year, NVSRAM, Square Wave Output, Watchdog Timer, Y2K |
Dimensione della memoria | 256B |
Formato orario | HH:MM:SS (24 hr) |
Formato data | YY-MM-DD-dd |
Interfaccia | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
Tensione - Alimentazione, batteria | 2.5V ~ 3.7V |
Corrente - Cronometraggio (max) | 5mA @ 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1501YZN+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1501YZN+-FT |
ISL12027IVZ-T
Renesas Electronics America Inc.
X1205V8
Renesas Electronics America Inc.
X1205V8I
Renesas Electronics America Inc.
X1205V8IT1
Renesas Electronics America Inc.
X1205V8IZ
Renesas Electronics America Inc.
X1205V8IZT1
Renesas Electronics America Inc.
X1205V8T1
Renesas Electronics America Inc.
X1226V8
Renesas Electronics America Inc.
X1226V8I
Renesas Electronics America Inc.
X1226V8IT1
Renesas Electronics America Inc.
AT6010A-4AC
Microchip Technology
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
EP2C70F672C6
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
XC6VLX75T-2FFG784C
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I3
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel