casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1330ABP-70IND+
codice articolo del costruttore | DS1330ABP-70IND+ |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DS1330ABP-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1330ABP-70IND+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 34-PowerCap™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | 34-PowerCap Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1330ABP-70IND+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1330ABP-70IND+-FT |
IS41LV16257C-35TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41LV16257C-35TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
LH28F008SAT-85
Sharp Microelectronics
LH28F008SAT-ZW
Sharp Microelectronics
LH28F008SCHT-TE
Sharp Microelectronics
LH28F008SCT-L85
Sharp Microelectronics
LH28F016SCT-L95
Sharp Microelectronics
M29F080D70N1
STMicroelectronics
M29F080D90N1
STMicroelectronics
M50FW016N5TG TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel