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codice articolo del costruttore | DS1307N+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1307N+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1307N+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Clock/Calendar |
Caratteristiche | Leap Year, NVSRAM, Square Wave Output |
Dimensione della memoria | 56B |
Formato orario | HH:MM:SS (12/24 hr) |
Formato data | YY-MM-DD-dd |
Interfaccia | I²C, 2-Wire Serial |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
Tensione - Alimentazione, batteria | 2V ~ 3.5V |
Corrente - Cronometraggio (max) | 200µA @ 5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1307N+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1307N+-FT |
1339-31DVGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
PT7C4563UEX
Diodes Incorporated
1337AGDVGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337DVGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337DVGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337GDVGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337GDVGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M41T0DS6E
STMicroelectronics
M41T0DS6F
STMicroelectronics
ISL12026IVZ-T
Renesas Electronics America Inc.
AT6010A-4AC
Microchip Technology
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
EP2C70F672C6
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
XC6VLX75T-2FFG784C
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I3
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel