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codice articolo del costruttore | DS1302+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1302+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1302+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Clock/Calendar |
Caratteristiche | Leap Year, NVSRAM, Trickle-Charger |
Dimensione della memoria | 31B |
Formato orario | HH:MM:SS (12/24 hr) |
Formato data | YY-MM-DD-dd |
Interfaccia | 3-Wire Serial |
Tensione - Fornitura | 2V ~ 5.5V |
Tensione - Alimentazione, batteria | 2V ~ 5.5V |
Corrente - Cronometraggio (max) | 0.3µA ~ 1µA @ 2V ~ 5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1302+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1302+-FT |
ISL12026IVZ-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL12026IVZ
Renesas Electronics America Inc.
PT7C4372ALE
Diodes Incorporated
PT7C4372ALEX
Diodes Incorporated
BU9873FVT-GE2
Rohm Semiconductor
ISL12024IVZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL12024IVZ-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL12026AIVZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL12026AIVZ-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL12025IVZ
Renesas Electronics America Inc.
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG484T
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG484I
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
EPF10K10ATC100-2
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel