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codice articolo del costruttore | DS1302N+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1302N+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1302N+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Clock/Calendar |
Caratteristiche | Leap Year, NVSRAM, Trickle-Charger |
Dimensione della memoria | 31B |
Formato orario | HH:MM:SS (12/24 hr) |
Formato data | YY-MM-DD-dd |
Interfaccia | 3-Wire Serial |
Tensione - Fornitura | 2V ~ 5.5V |
Tensione - Alimentazione, batteria | 2V ~ 5.5V |
Corrente - Cronometraggio (max) | 0.3µA ~ 1µA @ 2V ~ 5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1302N+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1302N+-FT |
1339-2DVGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
1339-31DVGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
PT7C4563UEX
Diodes Incorporated
1337AGDVGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337DVGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337DVGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337GDVGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337GDVGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M41T0DS6E
STMicroelectronics
M41T0DS6F
STMicroelectronics