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codice articolo del costruttore | DS12CR887-33+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS12CR887-33+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS12CR887-33+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Clock/Calendar |
Caratteristiche | Alarm, Leap Year, NVSRAM, Square Wave Output, Trickle-Charger |
Dimensione della memoria | 114B |
Formato orario | HH:MM:SS (12/24 hr) |
Formato data | YY-MM-DD-dd |
Interfaccia | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.97V ~ 3.63V |
Tensione - Alimentazione, batteria | 2V ~ 3.05V |
Corrente - Cronometraggio (max) | 2mA @ 2.97V ~ 3.63V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS12CR887-33+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS12CR887-33+-FT |
DS1308U-3+T
Maxim Integrated
DS1308U-33+T
Maxim Integrated
DS1339AU+T
Maxim Integrated
DS1339BU+T
Maxim Integrated
DS1339U-2+T&R
Maxim Integrated
DS1339U-3+T&R
Maxim Integrated
DS1341U+T&R
Maxim Integrated
DS1371U+T&R
Maxim Integrated
DS1672U-33+T&R
Maxim Integrated
DS1371U+C01
Maxim Integrated
A54SX32-TQ144I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FG456I
Xilinx Inc.
5SGXMB5R2F43I3LN
Intel
XA7A25T-1CPG238Q
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C4N
Intel
EP3SE80F780I4N
Intel
EPF10K50EQC208-2
Intel