casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1270AB-100#
codice articolo del costruttore | DS1270AB-100# |
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Numero di parte futuro | FT-DS1270AB-100# |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1270AB-100# Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 36-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1270AB-100# Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1270AB-100#-FT |
AT93C86-10SI-2.7
Microchip Technology
AT93C86A-10SI-1.8
Microchip Technology
AT93C86A-10SI-2.7
Microchip Technology
ATAES132-SH-EQ-T
Microchip Technology
ATAES132-SH-ER
Microchip Technology
ATAES132-SH-ER-T
Microchip Technology
W25X40CLUXIG TR
Winbond Electronics
W25X20CLUXIG TR
Winbond Electronics
W25Q80DVUXIE TR
Winbond Electronics
SST26WF080BT-104I/NP
Microchip Technology
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel