casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1265Y-100
codice articolo del costruttore | DS1265Y-100 |
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Numero di parte futuro | FT-DS1265Y-100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1265Y-100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 36-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1265Y-100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1265Y-100-FT |
SST26WF080BT-104I/NP
Microchip Technology
W25Q40EWUXIE TR
Winbond Electronics
SST25VF020B-80-4I-Q3AE-T
Microchip Technology
SST25WF020AT-40I/NP
Microchip Technology
SST25WF040BT-40I/NP
Microchip Technology
SST25PF040CT-40I/NP
Microchip Technology
SST26WF040BT-104I/NP
Microchip Technology
SST26WF080BAT-104I/NP
Microchip Technology
SST25WF080BT-40I/NP
Microchip Technology
W25Q16FWUXIE TR
Winbond Electronics
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel